IT之家 11 月 1 日音讯bitpie钱包苹果，左证 DigiTimes 报说念，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 败露，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望昭着改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的跳跃地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，野心 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

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每个晶体管加多纳米片数目bitpie钱包苹果，不错增强驱动电流，从而进步性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和开动速率。

此外，更多的纳米片不错更好地限制电流，这有助于减少走电流，从而缩短功耗。此外，改革的电流限制还意味着晶体管产生的热量更少，从而进步了功率成果。

IT之家此前报说念，三星还野心在 1.4nm 工艺中接收背部供电（BSPDN）工夫，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在民众界限内执行。

固然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为工夫节点进行系统定名，但毫无疑问现在的工艺工夫亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩门道不断地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不断缩窄，从而对彼此产生干豫，而 BSPDN 工夫则不错克服这一放手，这是因为咱们不错行使晶圆后头来构建供电门道，以分隔电路和电源空间。

《三星野心 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电工夫》

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